|
Подробная информация о продукте:
|
| Материал: | ГаН | Тип: | GaN-FS-10, GaN-FS-15 |
|---|---|---|---|
| Ориентация: | ± 0.5° C-оси (0001) | ТТВ: | µm ≤15 |
| Смычок: | µm ≤20 | Концентрация несущей: | >5x1017/cm3 |
| Типичная толщина (mm): | N типа, Полу-изолирующ | Резистивность (@300K): | < 0="">106 Ω•см |
| Годная к употреблению поверхностная область: | > 90% |
Благодаря широкому прямому диапазону (в диапазоне 3,4 eV), сильным атомным связям, высокой теплопроводности и превосходной устойчивости к излучению, GaN является не только оптоэлектронным материалом с короткой длиной волны,но также и альтернативный материал для высокотемпературных полупроводниковых устройствОсновываясь на стабильных физических и химических свойствах, GaN подходит для применения в светодиодах (синий, зеленый, ультрафиолетовый свет), ультрафиолетовых детекторах и оптоэлектронных устройствах высокой мощности и высокой частоты.
| Спецификация | ||
| Тип | GaN-FS-10 | GaN-FS-15 |
| Размер | 100,0 мм × 10,5 мм | 140,0 мм × 15,0 мм |
| Толщина |
Ранг 300, Ранг 350, Ранг 400 |
300 ± 25 мкм, 350 ± 25 мкм, 400 ± 25 мкм |
| Ориентация | С-ось ((0001) ± 0,5° | |
| TTV | ≤ 15 мкм | |
| ВЫБОК | ≤ 20 мкм | |
| Концентрация носителя | > 5х1017/см3 | / |
| Тип провода | Тип N | Полуизоляция |
| Сопротивляемость ((@300K) | < 0,5 Ω•см | > 106Ом•см |
| Плотность дислокации | менее 5х106см-2 | |
| Пользуемая площадь поверхности | > 90% | |
| Полировка |
Передняя поверхность: Ra < 0,2 нм. Задняя поверхность: тонкая почва |
|
| Пакет | Упаковывается в чистой комнате класса 100, в контейнерах с одной пластинкой, в атмосфере азота. | |
Контактное лицо: Mr. JACK HAN
Телефон: 86-18655618388
