Russian

English

French

German

Italian

Russian

Spanish

Portuguese

Dutch

Greek

Japanese

Korean

Turkish

Vietnamese

Отправить запрос |

Главная страница Продукция Пакет плана транзистора

Заголовок TO8 поместил пакет плана транзистора компонентов

Все продукты

Герметически закрытые электронные пакеты
(13)

Герметичный пакет лазера наивысшей мощности
(17)

Герметичный пакет связи стекловолокна
(12)

Пакет бабочки
(5)

Пакет плана транзистора
(9)

Гибридный пакет интегральной схемаы
(3)

Герметичный ультракрасный пакет детектора
(2)

Пакет TO46
(2)

Кристаллы лазера
(6)

Оптически Виндовс
(4)

оптически объектив
(2)

Оптически призмы
(1)

Оптически фильтры
(1)

Поляризовыванное Beamsplitter
(2)

Вафли и субстраты
(2)

Самые лучшие продукты

Пакеты транзистора HlAgCu28 Smd

Пакеты транзистора HlAgCu28 Smd

Пакет плана транзистора To39

Пакет плана транзистора To39

Пакет плана транзистора Kovar

Пакет плана транзистора Kovar

Сертификация

Китай JOPTEC LASER CO., LTD Сертификаты

Китай JOPTEC LASER CO., LTD Сертификаты

Просмотрения клиента

Когда мы купили от JOPTEC в первый раз, мы осуществляем что компания которая держит их обещания. Из-за высококачественного и надежности этих пакет металла мы хорошо удовлетворены. Команда обслуживания клиента JOPTEC всегда наши друзья в потребности. Так мы начинаем долгосрочное и сильное партнерство.

—— Эндрью Garza

Я хочу принимать шанс возблагодарить команду лазера JOPTEC, с их изделиями высокого качества и сервисной поддержкой после-продажи. Мы считаем, что с нашими непрерывными усилиями, мы можем выиграть больше кредитов клиента и конечно, более высокий удельный вес на рынке

—— Линда Kenny

Оставьте нам сообщение

Заголовок TO8 поместил пакет плана транзистора компонентов

Заголовок TO8 поместил пакет плана транзистора компонентов

Заголовок TO8 поместил пакет плана транзистора компонентов

Заголовок TO8 поместил пакет плана транзистора компонентов

Заголовок TO8 поместил пакет плана транзистора компонентов

Большие изображения : Заголовок TO8 поместил пакет плана транзистора компонентов

Подробная информация о продукте:

Место происхождения:	ХЭФЭИ, Китай
Фирменное наименование:	JOPTEC

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа:	50 ПК
Упаковывая детали:	КОРОБКИ
Время доставки:	30 дней
Условия оплаты:	Т/Т
Поставка способности:	5000000 ПКС/Монтх

контакт

Заголовок TO8 поместил пакет плана транзистора компонентов

описание

Кольцо заварки:	ХлАгКу28	Крышка:	10 # сталь
руководство:	4Дж29 (Ковар)	Стеклянный изолятор:	БХ-Г/К
Нижний пол:	4Дж29 (Ковар)	Херметиситы:	≤1*10-3Pa.cm3/s
Раковина:	FeNiCo, FeNi42 или CRS
Высокий свет:	TO8 Encapsulated Transistor Outline Package , TO8 Enclosure Transistor Outline header , TO8 Transistor Outline Metal Package

Название продукта:	Загерметизированный пакет сплава приложения для цепи
Финиш:	Полно покрывать Au или выборочный покрывая Au.
Покрывать покрытие:	Ni плакировкой плиты и руководства: 4-11.43um, покрывая Au: 1.0-1.3um. Крышка покрывая Ni: 4-11.43um.
Образование продукта:	Материал	Количество
1. Крышка	10#Steel	1
2. Сваривая кольцо	HLAgCu28	1
3. Руководство 1	4J29 (Kovar)	1
4. Стеклянный изолятор	BH-G/K	3
5. Руководство 2	4J29 (Kovar)	3
6. Нижний пол	4J29 (Kovar)	1
Сопротивление изоляции	сопротивление DC 500V между одиночными стеклянными загерметизированными штырем и раковиной ≥1*1010Ω
Hermeticity	Норма утечки ≤1*10-3Pa.cm3/s
Характеристики продукта:	1. Раковина принимает материал: FeNiCo, FeNi42 или CRS;
	2. Форма штыря cyclinder и прямой, материал принимает Kovar.
	3. Метод герметизируя крышки заварка выстукивания или заварка олова.
	4. Ряд штыря которые пересекают дно основания смог быть выбран клиентами.
	5. Положение земного штыря может быть выбрано клиентом.
	6. Дизайну крышек нужно приспосабливать раковину.
	7. Клиент смог выбрать раковину полно покрывать или плакировка штыря выборочная.

тег:

заголовок fenico,

заголовок оптически датчика герметичный,

заголовок пакета лазерного диода

Контактная информация

JOPTEC LASER CO., LTD

Контактное лицо: JACK HAN

Телефон: 86-18655618388

Другие продукты

Стеклянный пакет плана транзистора автомобилей SMD JEDE

Основное вещество: Низкоуглеродистая сталь, Kovar керамическое, медь вольфрама
Материал руководства: Kovar, медь Kovar, медный сплав
Термальная проводимость базовой платины: >150W/m.K
Закрепленность воздуха: ≤1x10-3Pa.cm3/s (он)

SS расквартировывая заголовок датчика давления крышки 4J42 микроэлектронный

Отверстия: CRS1010
Пин: Медное вырезанное сердцевина из 50alloy
стекло: Elan13#
Крышка: никель

65Ghz пакет плана транзистора DC Feedhrough TO56

Стеклянный изолятор: Coining7072
Пин: 4J50
Керамическая основа: Нитрид алюминия
Херметиситы: Норма утечки ≤1*10-3Pa.cm3/s

Раковина крепкое 8pin FeNiCo к заголовку пакетов транзистора

основание: 4Дж29
Стеклянный изолятор: БХ-А/К
Пин: 4Дж29
Сопротивление изоляции: сопротивление DC 500V

Пакет плана транзистора скрепления провода поверхностный чеканя низкопробный

основание: 4Дж29
Стеклянный изолятор: БХ-А/К
Сопротивление изоляции: 500В
Норма утечки: ≤1*10^-3Pa.cm3/s

около

Герметически закрытые электронные пакеты: Заткните в пакетах квартиры герметически закрытых электронных; Герметические затворы сплава низкопробной квартиры вставляемые ASTM F15 кольца уплотнения CRS1010; Multi бабочка части герметически закрывала электронные пакеты

Герметичный пакет лазера наивысшей мощности: COS устанавливая герметичный пакет лазера наивысшей мощности 2pin; Пакет бабочки наивысшей мощности тепловыделения бескислородный медный; Пакет лазера наивысшей мощности лазерного диода 2 Pin герметичный

Оставить сообщение

Privacy Policy Китай хорошее качество Герметически закрытые электронные пакеты поставщик. © 2020 joptec.com. All Rights Reserved.